Datasheet FQA19N60 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, TO-3P — Даташит

Наименование модели: FQA19N60
22 предложений от 18 поставщиков MOSFET N-CH 600V 18.5A TO-3P. N-Channel 600V 18.5A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3PN. Transistors - FETs, MOSFETs - Single | |||
| FQA19N60 MOS ON Semiconductor | по запросу | ||
| FQA19N60 Fairchild | по запросу | ||
| FQA19N60LEADFREE Fairchild | по запросу | ||
| FQA19N60 Rochester Electronics | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, N, TO-3P
Краткое содержание документа:
FQA19N60
April 2000
QFET
FQA19N60
600V N-Channel MOSFET
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 18.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On Resistance Rds(on): 380 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-3P
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 18.5 А
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- Тип корпуса: TO-3P
- Power Dissipation Pd: 300 Вт
- Pulse Current Idm: 74 А
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
- Voltage Vds Typ: 600 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - WLK 5
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A






