Datasheet HUF75639G3 - Fairchild Даташит Полевой транзистор — Даташит

Купить HUF75639G3 на РадиоЛоцман.Цены — от 45 до 447 ₽ 32 предложений от 14 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 56 А, 0.025 Ом, TO-247, Through Hole
Стандарт СИЗ Россия	HUF75639G3 Fujitsu-Siemens	45 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	HUF75639G3 Fairchild	82 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	HUF75639G3 ON Semiconductor	167 ₽	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	HUF75639G3_Q Fairchild	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
HUF75639G3, HUF75639P3, HUF75639S3S, HUF75639S3
Data Sheet December 2001
56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
These N-Channel power MOSFETs are manufactured using the innovative UltraFET® process.

This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. It was designed for use in applications where power efficiency is important, such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers, lowvoltage bus switches, and power management in portable and battery-operated products. Formerly developmental type TA75639.
Features

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current, Id: 56 А
• Drain Source Voltage, Vds: 100 В
• On Resistance, Rds(on): 0.025 Ом
• Rds(on) Test Voltage, Vgs: 10 В
• Threshold Voltage, Vgs Typ: 4 В
• Рассеиваемая мощность: 200 Вт

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

• WAKEFIELD SOLUTIONS - 657-25ABPE