Datasheet MMBF170 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23 — Даташит

Купить MMBF170 на РадиоЛоцман.Цены — от 0.18 до 6 019 ₽ 51 предложений от 31 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 500 мА, 5 Ом, SOT-23, Surface Mount
ЗУМ-СМД Россия	MMBF170 Hottech	0.18 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	MMBF170-7-F Diodes	от 1.80 ₽	Купить
Maybo Весь мир	MMBF170-7-F Diodes	30 ₽	Купить
TradeElectronics Россия	MMBF170T Fairchild	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
April 1995
BS170 / MMBF170 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
General Description
These N-Channel enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology.

These products have been designed to minimize on-state resistance while provide rugged, reliable, and fast switching performance. They can be used in most applications requiring up to 500mA DC. These products are particularly suited for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers, and other switching applications.
Features

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 500 мА
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 5 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 2.1 В
• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 500 мА
• Current Temperature: 25°C
• Маркировка: MMBF170
• External Depth: 2.5 мм
• Внешняя длина / высота: 1.12 мм
• Внешняя ширина: 3.05 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-23
• Power Dissipation Pd: 300 мВт
• Pulse Current Idm: 800 мА
• SMD Marking: MMBF170
• Ширина ленты: 8 мм
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2.1 В
• Voltage Vds Typ: 60 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 3 В

RoHS: есть