Datasheet RFD14N05SM - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, D-PAK — Даташит
Наименование модели: RFD14N05SM
![]() 35 предложений от 22 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 14А; 48Вт; DPAK | |||
RFD14N05SM9A ON Semiconductor | от 9.92 ₽ | ||
RFD14N05SM9A ON Semiconductor | 30 ₽ | ||
RFD14N05SM Freescale | по запросу | ||
RFD14N05SM9A_Q Fairchild | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, N, D-PAK
Краткое содержание документа:
RFD14N05, RFD14N05SM
Data Sheet February 2004
14A, 50V, 0.100 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
These are N-channel power MOSFETs manufactured using the MegaFET process.
This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. They were designed for use in applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers and relay drivers. These transistors can be operated directly from integrated circuits. Formerly developmental type TA09770.
Features
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 14 А
- Drain Source Voltage Vds: 50 В
- On Resistance Rds(on): 100 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 4 В
- Корпус транзистора: D-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Альтернативный тип корпуса: TO-252
- Current Id Max: 14 А
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 10.5 мм
- Внешняя длина / высота: 2.55 мм
- Внешняя ширина: 6.8 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: DPAK
- Power Dissipation Pd: 48 Вт
- Рассеиваемая мощность максимальная: 48 Вт
- Pulse Current Idm: 22 А
- SMD Marking: RFD14N05SM
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Voltage Vds Typ: 50 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - FK 244 08 D PAK
- Fischer Elektronik - FK 244 13 D PAK
- Fischer Elektronik - WLK 5