Datasheet FDS6673BZ - Fairchild Даташит Полевой транзистор, P CH, 30 В, 14.5 А, 8SOIC — Даташит

Купить FDS6673BZ на РадиоЛоцман.Цены — от 14 до 142 ₽ 41 предложений от 20 поставщиков ON SEMICONDUCTOR - FDS6673BZ - MOSFET Transistor, P Channel, 14.5 mA, -30 V, 0.0065 ohm, 10 V, 1.9 V
ChipWorker Весь мир	FDS6673BZ ON Semiconductor	18 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	FDS6673BZ	от 19 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	FDS6673BZ	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	FDS6673BZ_F085 Fairchild	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, P CH, 30 В, 14.5 А, 8SOIC

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDS6673BZ P-Channel PowerTrench® MOSFET
March 2009
FDS6673BZ P-Channel PowerTrench® MOSFET
-30V, -14.5A, 7.8m General Description
This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced Power Trench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance.

This device is well suited for Power Management and load switching applications common in Notebook

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: -14.5 А
• Drain Source Voltage Vds: -30 В
• On Resistance Rds(on): 6.5 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: -1.9 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 8
• Корпус транзистора: SOIC
• Полярность транзистора: P Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Рассеиваемая мощность: 1 Вт
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)