Datasheet FDS4435BZ - Fairchild Даташит Полевой транзистор, P, SO-8 — Даташит
Наименование модели: FDS4435BZ
![]() 60 предложений от 28 поставщиков Транзисторы разные.Тип: MOSFETТип проводимости: PМаксимальное напряжение сток-исток, В: -30Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -9,7Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 28Емкость, пФ:... | |||
FDS4435BZ | 10 ₽ | ||
FDS4435BZ ON Semiconductor | от 69 ₽ | ||
FDS4435BZ Yageo | по запросу | ||
FDS4435BZ Fairchild | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, P, SO-8
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -8.8 А
- Drain Source Voltage Vds: -30 В
- On Resistance Rds(on): 20 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Voltage Vgs Max: -2.1 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: -8.8 А
- Тип корпуса: SOIC-8
- Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: -2.1 В
- Тип транзистора: Trench
- Voltage Vds Typ: -30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В
RoHS: есть