Источники питания KEEN SIDE

Datasheet FDS4435BZ - Fairchild Даташит Полевой транзистор, P, SO-8 — Даташит

Fairchild FDS4435BZ

Наименование модели: FDS4435BZ

59 предложений от 26 поставщиков
Транзисторы разные.Тип: MOSFETТип проводимости: PМаксимальное напряжение сток-исток, В: -30Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -9,7Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 28Емкость, пФ:...
AllElco Electronics
Весь мир
FDS4435BZ
ON Semiconductor
от 7.23 ₽
Триема
Россия
FDS4435BZ
10 ₽
Эиком
Россия
FDS4435BZ
ON Semiconductor
от 61 ₽
FDS4435BZ_NL
Fairchild
по запросу
ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, P, SO-8

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -8.8 А
  • Drain Source Voltage Vds: -30 В
  • On Resistance Rds(on): 20 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Voltage Vgs Max: -2.1 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: -8.8 А
  • Тип корпуса: SOIC-8
  • Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -2.1 В
  • Тип транзистора: Trench
  • Voltage Vds Typ: -30 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet FDS4435BZ - Fairchild MOSFET, P, SO-8

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка