Datasheet FDC636P - Fairchild Даташит Полевой транзистор, P, SUPERSOT-6 — Даташит
Наименование модели: FDC636P
13 предложений от 13 поставщиков МОП-транзистор -20V -2.8A P-CH ENHANCEMENT MODE | |||
FDC636P Fairchild | 66 ₽ | ||
FDC636P Fairchild | по запросу | ||
FDC636P ON Semiconductor | по запросу | ||
FDC636P_F095 Fairchild | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, P, SUPERSOT-6
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 2.8 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 130 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Корпус транзистора: SuperSOT
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: -2.8 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Тип корпуса: SuperSOT-6
- Power Dissipation Pd: 1.6 Вт
- Pulse Current Idm: 11 А
- SMD Marking: FDC636P
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: -600 мВ
- Uni / Bi Directional Polarity: P
- Voltage Vds: 20 В
- Voltage Vds Typ: -20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -4.5 В
- Voltage Vgs th Max: -1 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- LICEFA - V11-7-6-10
- LICEFA - V11-7
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A