Datasheet FDS8884 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит
Наименование модели: FDS8884
![]() 58 предложений от 26 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 8.5 А, 0.019 Ом, SOIC, Surface Mount | |||
FDS8884 ON Semiconductor | от 6.58 ₽ | ||
FDS8884 ON Semiconductor | от 19 ₽ | ||
FDS8884 ON Semiconductor | от 59 ₽ | ||
FDS8884 Fairchild | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, N, SO-8
Краткое содержание документа:
FDS8884 N-Channel PowerTrench® MOSFET
February 2006
FDS8884
N-Channel PowerTrench® MOSFET
30V, 8.5A, 23m General Descriptions
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 8.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 23 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 8.5 А
- Тип корпуса: SOIC-8
- Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
- Тип транзистора: Trench
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть