Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet FQD2N100TM - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N-CH, 1000 В, 1.6 А, D-PAK, RL — Даташит

Fairchild FQD2N100TM

Наименование модели: FQD2N100TM

18 предложений от 15 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1000В; 1А; 50Вт; DPAK
Akcel
Весь мир
FQD2N100TM
ON Semiconductor
от 43 ₽
AiPCBA
Весь мир
FQD2N100TM
ON Semiconductor
67 ₽
ChipWorker
Весь мир
FQD2N100TM
ON Semiconductor
68 ₽
ЭИК
Россия
FQD2N100TM
ON Semiconductor
171 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 1000 В, 1.6 А, D-PAK, RL

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FQD2N100/FQU2N100
January 2009
QFET
®
FQD2N100/FQU2N100

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 1.6 А
  • Drain Source Voltage Vds: 1 кВ
  • On Resistance Rds(on): 7.1 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-252
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 2.5 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet FQD2N100TM - Fairchild MOSFET, N-CH, 1000 V, 1.6 A, D-PAK, RL

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России