Datasheet FDA18N50 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, TO-3PN — Даташит
Наименование модели: FDA18N50
![]() 21 предложений от 17 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 11,4А; Idm: 76А; 239Вт; TO3PN | |||
FDA18N50 ON Semiconductor | от 236 ₽ | ||
FDA18N50 Fairchild | 302 ₽ | ||
FDA18N50 Fairchild | 325 ₽ | ||
FDA18N50 ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, N, TO-3PN
Краткое содержание документа:
FDA18N50 500V N-Channel MOSFET
October 2006
FDA18N50
500V N-Channel MOSFET Features
· 19A, 500V, RDS(on) = 0.265 @VGS = 10 V · Low gate charge ( typical 45 nC) · Low Crss ( typical 25 pF) · Fast switching · 100% avalanche tested · Improved dv/dt capability
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 19 А
- Drain Source Voltage Vds: 500 В
- On Resistance Rds(on): 265 МОм
- Корпус транзистора: TO-3PN
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Тип корпуса: TO-3PN
- Power Dissipation Pd: 239 Вт
- Pulse Current Idm: 76 А
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: 500 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 5 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - WLK 5