Datasheet FDMS2672 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, SMD, MLP — Даташит

Купить FDMS2672 на РадиоЛоцман.Цены — от 34 до 247 ₽ 33 предложений от 16 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 13А; Idm: 96А; 78Вт; Power56
727GS Весь мир	FDMS2672 ON Semiconductor	от 73 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	FDMS2672 ON Semiconductor	114 ₽	Купить
Эиком Россия	FDMS2672 ON Semiconductor	от 220 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	FDMS2672 ON Semiconductor	от 247 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N, SMD, MLP

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDMS2672 N-Channel UltraFET Trench MOSFET
February 2007
FDMS2672 N-Channel UltraFET Trench MOSFET
200V, 20A, 77m Features General Description
UItraFET devices combine characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications.

Optimized for rDS(on), low ESR, low total and Miller gate charge, these devices are ideal for high frequency DC to DC converters. Max rDS(on) = 77m at VGS = 10V, ID = 3.7A Max rDS(on) = 88m at VGS = 6V, ID = 3.5A Low Miller Charge RoHS Compliant

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 3.7 А
• Drain Source Voltage Vds: 200 В
• On Resistance Rds(on): 77 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
• Voltage Vgs Max: 3.1 В
• Корпус транзистора: Power 56
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 3.7 А
• Тип корпуса: Power 56
• Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
• Pulse Current Idm: 20 А
• SMD Marking: FDMS2672
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3.1 В
• Voltage Vds Typ: 200 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4 В

RoHS: есть