Datasheet FDMS8660S - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, POWER56 — Даташит
Наименование модели: FDMS8660S
![]() 18 предложений от 15 поставщиков MOSFET N-CH 30V 28A/49A 8PQFN | |||
FDMS8660AS Fairchild | 64 ₽ | ||
FDMS8660AS Fairchild | от 175 ₽ | ||
FDMS8660S ON Semiconductor | по запросу | ||
FDMS8660S Fairchild | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, N, POWER56
Краткое содержание документа:
FDMS8660S N-Channel PowerTrench® SyncFETTM
November 2006
FDMS8660S N-Channel PowerTrench® SyncFETTM
30V, 40A, 2.4m Features General Description
Max rDS(on) = 2.4m at VGS = 10V, ID = 25A Max rDS(on) = 3.5m at VGS = 4.5V, ID = 21A Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency SyncFET Schottky Body Diode MSL1 robust package design RoHS Compliant
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 40 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 2.4 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Корпус транзистора: Power 56
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Capacitance Ciss Typ: 4345 пФ
- Current Id Max: 40 А
- On State Resistance Max: 2.4 МОм
- Тип корпуса: Power 56
- Pin Configuration: D(5, 6, 7, 8), G(4), S(1, 2, 3)
- Power Dissipation Pd: 83 Вт
- Pulse Current Idm: 200 А
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 2 В
- Voltage Vgs th Min: 1 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A