Datasheet FDU8580 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, I-PAK — Даташит

Купить FDU8580 на РадиоЛоцман.Цены — от 44 до 151 ₽ 11 предложений от 11 поставщиков Полевые транзисторы - Одиночные
Maybo Весь мир	FDU8580 ON Semiconductor	51 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	FDU8580 Fairchild	139 ₽	Купить
Элитан Россия	FDU8580	146 ₽	Купить
Эиком Россия	FDU8580 Fairchild	151 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N, I-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDD8580/FDU8580 N-Channel PowerTrench® MOSFET
July 2006
FDD8580/FDU8580 N-Channel PowerTrench® MOSFET
20V, 35A, 9m Features General Description
Max rDS(on) = 9m at VGS = 10V, ID = 35A Max rDS(on) =13m at VGS = 4.5V, ID = 33A Low gate charge: Qg(TOT) = 19nC(Typ), VGS = 10V Low gate resistance 100% Avalanche tested RoHS compliant

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 35 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 9 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: I-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Альтернативный тип корпуса: TO-251AA
• Capacitance Ciss Typ: 1085 пФ
• Current Id Max: 35 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 175°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Тип корпуса: IPAK
• Pin Configuration: 1(G), 2(D), 3(S)
• Power Dissipation Pd: 49.5 Вт
• Pulse Current Idm: 159 А
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
• Voltage Vds: 20 В
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2.5 В

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 244 13 D PAK
• Fischer Elektronik - WLK 5
• Panasonic - EYGA121807A
• Roth Elektronik - RE901