Datasheet FDU8586 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, I-PAK — Даташит

Купить FDU8586 на РадиоЛоцман.Цены — от 56 до 193 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков Полевые транзисторы - Одиночные
Lixinc Electronics Весь мир	FDU8586	61 ₽	Купить
Элитан Россия	FDU8586	176 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	FDU8586	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	FDU8586 Fairchild	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N, I-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDD8586/FDU8586 N-Channel PowerTrench® MOSFET
January 2007
FDD8586/FDU8586 N-Channel PowerTrench® MOSFET
20V, 35A, 5.5m Features General Description
Max rDS(on) = 5.5m at VGS = 10V, ID = 35A Max rDS(on) = 8.5m at VGS = 4.5V, ID = 33A Low gate charge: Qg(TOT) = 34nC(Typ), VGS = 10V Low gate resistance 100% Avalanche tested RoHS compliant Vcore DC-DC for Desktop Computers and Servers VRM for Intermediate Bus Architecture

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 35 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 5.5 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: I-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Альтернативный тип корпуса: TO-251AA
• Capacitance Ciss Typ: 1865 пФ
• Current Id Max: 35 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 175°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Тип корпуса: IPAK
• Pin Configuration: 1(G), 2(D), 3(S)
• Power Dissipation Pd: 77 Вт
• Pulse Current Idm: 354 А
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.6 В
• Voltage Vds: 20 В
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2.5 В

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 244 13 D PAK
• Fischer Elektronik - WLK 5
• Panasonic - EYGA121807A
• Roth Elektronik - RE901