Datasheet FQA10N80C - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, TO-3P — Даташит
Наименование модели: FQA10N80C
![]() 16 предложений от 13 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 10 А, 0.93 Ом, TO-3PN, Through Hole | |||
FQA10N80C Rochester Electronics | 109 ₽ | ||
Транзистор полевой /MOS-FET или IGBT/ FQA10N80C Fairchild | 382 ₽ | ||
FQA10N80C TO3P ONS | 462 ₽ | ||
FQA10N80C_F109 ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, N, TO-3P
Краткое содержание документа:
FQA10N80C
QFET
FQA10N80C
800V N-Channel MOSFET
General Description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 10 А
- Drain Source Voltage Vds: 800 В
- On Resistance Rds(on): 930 МОм
- Корпус транзистора: TO-3P
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: TO-3P
- Power Dissipation Pd: 240 Вт
- Рассеиваемая мощность максимальная: 240 Вт
- Pulse Current Idm: 40 А
- Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
- Voltage Vds Typ: 800 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - WLK 5