Datasheet BSB014N04LX3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 180 А, 40 В, MG-WDSON-2 — Даташит
Наименование модели: BSB014N04LX3 G
Купить BSB014N04LX3 G на РадиоЛоцман.Цены — от 121 до 10 176 ₽ 6 предложений от 6 поставщиков MOSFET N-Ch 40V 36A CanPAK3 MX OptiMOS 3 | |||
| BSB014N04LX3G Infineon | 121 ₽ | ||
| BSB014N04LX3G Infineon | 122 ₽ | ||
| BSB014N04LX3G Infineon | 190 ₽ | ||
| BSB014N04LX3G Infineon | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N CH, 180 А, 40 В, MG-WDSON-2
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
& " +
"&'%!"#
7NJ]ZN[
$!
$
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On Resistance Rds(on): 1.2 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: MG-WDSON-2
- Количество выводов: 2
- Current Id Max: 180 А
- Power Dissipation Pd: 89 Вт
- Тип транзистора: Power MOSFET
RoHS: есть
