Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet BSC014N03LS G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 А, 30 В, PG-TDSON-8 — Даташит

Infineon BSC014N03LS G

Наименование модели: BSC014N03LS G

10 предложений от 10 поставщиков
OptiMOS?„?3 Power-MOSFET
AliExpress
Весь мир
BSC011N03LS 011N03LS BSC014N03LSG 014N03LSG BSC014N03MS 014N03MS Новый и оригинальный чипсет IC
87 ₽
ЧипСити
Россия
BSC014N03LSG
Infineon
88 ₽
Элитан
Россия
BSC014N03LSG
310 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
BSC014N03LSG
12 211 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 А, 30 В, PG-TDSON-8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
& " &
"%&$!"#E $ ;B 1 = # & ' !
7MI[YMZ Q 2 C C 49:? 8 ' ) - .

7 - ' * D G:D @B Q ) AD :J65 D :> 649? @= 7 4@? F6B 6B @8I @B D C Q + E =:65 2 44@B 8 D $ 2 :7 5:? @ Q( 492 ? ? 6= Q& @8:4 = 6F6= Q H = D82 D 492 B H' 9I"[# AB 4D ) ' 46= 6? 6 86 @5E Q/ 6B = @? B :C2 ? 46 ' 9I"[# I @G 6C D Q - E :@B D > 2 = 6C D ? 46 A6B 96B B :C2 Q F2 =? 496 B D 2 2 65 Q * 3 766 A=D 8 , @" - 4@> A= ? D B 2 :? :2 Q" 2 = @86? 766 2 44@B 8 D # B 5:? @ C`XM - ( & - ! @IKSIOM F=%J9IED%0 =IYSQVO (),D(+BI
)#
$= ;0@/?& @9 9 -= ` ) 9I ' 9I"[#$ZNd $9 F=%J9IED%0 +( )&, )(( K Z" 6

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 1.2 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: PG-TSDSON
  • Количество выводов: 8
  • Current Id Max: 100 А
  • Power Dissipation Pd: 139 Вт
  • Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet BSC014N03LS G - Infineon MOSFET, N CH, 100 A, 30 V, PG-TDSON-8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России