Datasheet BSC016N04LS G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 А, 40 В, PG-TDSON-8 — Даташит

Купить BSC016N04LS G на РадиоЛоцман.Цены — от 48 до 249 ₽ 14 предложений от 10 поставщиков Труба MOS, MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
AiPCBA Весь мир	BSC016N04LSG Infineon	104 ₽	Купить
ЧипСити Россия	BSC016N04LSG Infineon	218 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	BSC016N04LSG Infineon	по запросу	Купить
МосЧип Россия	BSC016N04LSG Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 А, 40 В, PG-TDSON-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSC016N04LS G
OptiMOSTM3 Power-Transistor
Features · Fast switching MOSFET for SMPS · Optimized technology for DC/DC converters · Qualified according to JEDEC1) for target applications · N-channel · Logic level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · Superior thermal resistance · 100% Avalanche tested · Pb-free plating; RoHS compliant; ·Halogen-free according to IEC61249-2-21 Type BSC016N04LS G Package PG-TDSON-8 Marking 016N04LS
Product Summary V DS R DS(on),max ID 40 1.6 100 PG-TDSON-8 V m A
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified Parameter Continuous drain current Symbol Conditions ID V GS=10 V, T C=25 °C V GS=10 V, T C=100 °C V GS=4.5 V, T C=25 °C V GS=4.5 V, T C=100 °C V GS=10 V, T A=25 °C, R thJA=50 K/W 2) Pulsed drain current3) Avalanche current, single pulse 4) Avalanche energy, single pulse Gate source voltage

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 40 В
• On Resistance Rds(on): 1.3 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: PG-TSDSON
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 100 А
• Power Dissipation Pd: 139 Вт
• Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть