Datasheet BSC026N02KS G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 А, 20 В, PG-TDSON-8 — Даташит
Наименование модели: BSC026N02KS G
Купить BSC026N02KS G на РадиоЛоцман.Цены — от 54 до 7 628 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков OptiMOS?„?2 Power-Transistor | |||
BSC026N02KSG Infineon | 54 ₽ | ||
BSC026N02KSG Infineon | 57 ₽ | ||
BSC026N02KSG Infineon | по запросу | ||
BSC026N02KSG Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 А, 20 В, PG-TDSON-8
Краткое содержание документа:
%
!
%
"%&$!"#D
# : A 0< < & ,9=4 : < =>
7LHZ[XLY Q @B 7 C C 49:? 8 4@? F6B 6B 2 ? 5 C 4
B :7 D 2 D G:D D C I? 64D :42 :@? Q + E =:65 2 44@B 8 D $ 2 :7 5:? @
)#
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 2.1 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Voltage Vgs Max: 12 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: PG-TSDSON
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 100 А
- Power Dissipation Pd: 78 Вт
- Тип транзистора: Power MOSFET
RoHS: есть