Datasheet BSC047N08NS3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 А, 80 В, PG-TDSON-8 — Даташит

Infineon BSC047N08NS3 G

Наименование модели: BSC047N08NS3 G

Купить BSC047N08NS3 G на РадиоЛоцман.Цены — от 96 до 12 968 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков OptiMOS3 Power-Transistor
AiPCBA Весь мир	BSC047N08NS3G Infineon	96 ₽
ChipWorker Весь мир	BSC047N08NS3G Infineon	97 ₽
ЧипСити Россия	BSC047N08NS3G Infineon	415 ₽
Vess Electronics Весь мир	BSC047N08NS3G Infineon	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 А, 80 В, PG-TDSON-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSC047N08NS3 G
OptiMOSTM3 Power-Transistor
Features · Ideal for high frequency switching and sync.

rec. · Optimized technology for DC/DC converters · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance RDS(on) · Superior thermal resistance · N-channel, normal level · 100% avalanche tested · Pb-free plating; RoHS compliant · Qualified according to JEDEC1) for target applications · Halogen-free according to IEC61249-2-21 Type BSC047N08NS3 G
Product Summary V DS R DS(on),max ID 80 4.7 100 V m A
Package Marking

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Drain Source Voltage Vds: 80 В
On Resistance Rds(on): 3.9 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
Корпус транзистора: PG-TSDSON
Количество выводов: 8
Current Id Max: 100 А
Power Dissipation Pd: 125 Вт
Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть