Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet BSC059N04LS G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 73 А, 40 В, PG-TDSON-8 — Даташит

Infineon BSC059N04LS G

Наименование модели: BSC059N04LS G

8 предложений от 8 поставщиков
Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8Pin TDSON EP
AliExpress
Весь мир
Mosleader BSC025N03MS G ISC019N04NM5 ISC017N04NM5 BSC026N04LS BSC059N04LS G DFN5X6 китайский BSC025N03MSG BSC059N04LSG
52 ₽
AiPCBA
Весь мир
BSC059N04LSG
Infineon
70 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
BSC059N04LSG
7 283 ₽
Acme Chip
Весь мир
BSC059N04LSG
Infineon
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 73 А, 40 В, PG-TDSON-8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
& " &
"%&$!"#E $ ;B 1 = -: >5 ;= '= >?
7MI[YMZ Q 2 C C 49:? 8 ' ) - .

7 - ' * D G:D @B Q ) AD :J65 D :> 649? @= 7 4@? F6B 6B @8I @B D C Q + E =:65 2 44@B 8 D $ 2 :7 5:? @ Q( 492 ? ? 6=& @8:4 = 6F6= Q H = D82 D 492 B H' 9I"[# AB 4D ) ' 46= 6? 6 86 @5E Q/ 6B = @? B :C2 ? 46 ' 9I"[# I @G 6C D Q - E :@B D > 2 = 6C D ? 46 A6B 96B B :C2 Q F2 =? 496 D D 2 6C65 Q * 3 766 A=D 8 , @" - 4@> A= ? D B 2 :? :2 Q" 2 = @86? 766 2 44@B 8 D # B 5:? @ C`XM - ( & - ! @IKSIOM F=%J9IED%0 =IYSQVO (-1D(,BI
)#
$= ;0@/?& @9 9 -= D ) 9I ' 9I"[#$ZNd $9 ,( -&1 /+ F=%J9IED%0 K Z" 6

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On Resistance Rds(on): 4.9 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: PG-TSDSON
  • Количество выводов: 8
  • Current Id Max: 73 А
  • Power Dissipation Pd: 50 Вт
  • Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet BSC059N04LS G - Infineon MOSFET, N CH, 73 A, 40 V, PG-TDSON-8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России