Datasheet BSC100N10NSF G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 90 А, 100 В, PG-TDSON-8 — Даташит

Infineon BSC100N10NSF G

Наименование модели: BSC100N10NSF G

Купить BSC100N10NSF G на РадиоЛоцман.Цены — от 61 до 170 ₽ 13 предложений от 11 поставщиков Труба MOS, Optimos 2 Power Transistor Power Mosfet
AiPCBA Весь мир	BSC100N10NSFG Infineon	122 ₽
ЗУМ-СМД Россия	BSC100N10NSFG Infineon	по запросу
Augswan Весь мир	BSC100N10NSFG Infineon	по запросу
AllElco Electronics Весь мир	BSC100N10NSFG Infineon	по запросу

Особенности выбора танталовых конденсаторов Xiangyee по номинальному напряжению

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 90 А, 100 В, PG-TDSON-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
% ! ! %
"%&$!"#D # : A 0< < & ,9=4 : < =>
7LHZ[XLY Q .

5B < G 71D 3 81B 6 B 78 65AE5>3 I 1@@<3 1D >C I? 5 75 ? 89 B 9 9 ? Q ( @D J54 6 B 43 3 ? >F C? > 9 =9 ? 43 5B9 Q ' 3 81>>5< >? B < 5< =1< 5F Q H3 5<5>D 5 3 81B H' 9H"[Z# @B 4E3 D ( & < 71D 75 ? Q. 5B < G ? >B 9D 5 ' 9H"[Z# I? 5CC 1>3 Q T ? @5B 9 D 1D 5=@5B EB >7 1D 5 Q ) 2 655 < B 514 @< 9 + ? " , 3 ? =@<1>D 1D >7 9 Q * E1<654 13 3 ? B >7 D $ 9 9 49 ?
)#
# < /?.>% ?8 8 ,< : C ) 9H ' 9H"[Z#$YMd $9 )(( )( 1( E=%I9HDC%0 J Y" 6

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Drain Source Voltage Vds: 100 В
On Resistance Rds(on): 7.7 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
Корпус транзистора: PG-TSDSON
Количество выводов: 8
Current Id Max: 90 А
Power Dissipation Pd: 156 Вт
Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть