Datasheet BSC100N10NSF G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 90 А, 100 В, PG-TDSON-8 — Даташит

Infineon BSC100N10NSF G

Наименование модели: BSC100N10NSF G

Купить BSC100N10NSF G на РадиоЛоцман.Цены — от 143 до 338 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков Optimos 2 Power Transistor Power Mosfet
AiPCBA Весь мир	BSC100N10NSFG Infineon	143 ₽
ChipWorker Весь мир	BSC100N10NSFG Infineon	145 ₽
ЗУМ-СМД Россия	BSC100N10NSFG Infineon	по запросу
Acme Chip Весь мир	BSC100N10NSFG Infineon	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 90 А, 100 В, PG-TDSON-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
% ! ! %
"%&$!"#D # : A 0< < & ,9=4 : < =>
7LHZ[XLY Q .

5B < G 71D 3 81B 6 B 78 65AE5>3 I 1@@<3 1D >C I? 5 75 ? 89 B 9 9 ? Q ( @D J54 6 B 43 3 ? >F C? > 9 =9 ? 43 5B9 Q ' 3 81>>5< >? B < 5< =1< 5F Q H3 5<5>D 5 3 81B H' 9H"[Z# @B 4E3 D ( & < 71D 75 ? Q. 5B < G ? >B 9D 5 ' 9H"[Z# I? 5CC 1>3 Q T ? @5B 9 D 1D 5=@5B EB >7 1D 5 Q ) 2 655 < B 514 @< 9 + ? " , 3 ? =@<1>D 1D >7 9 Q * E1<654 13 3 ? B >7 D $ 9 9 49 ?
)#
# < /?.>% ?8 8 ,< : C ) 9H ' 9H"[Z#$YMd $9 )(( )( 1( E=%I9HDC%0 J Y" 6

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Drain Source Voltage Vds: 100 В
On Resistance Rds(on): 7.7 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
Корпус транзистора: PG-TSDSON
Количество выводов: 8
Current Id Max: 90 А
Power Dissipation Pd: 156 Вт
Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть