Datasheet BSC750N10ND G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 13 А, 100 В, PG-TDSON-8 — Даташит

Купить BSC750N10ND G на РадиоЛоцман.Цены — от 56 до 60 ₽ 7 предложений от 7 поставщиков Труба MOS, OptiMOSTM2 Power-Transistor
ChipWorker Весь мир	BSC750N10NDG Infineon	56 ₽	Купить
ЧипСити Россия	BSC750N10NDG Infineon	57 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	BSC750N10NDG Infineon	60 ₽	Купить
TradeElectronics Россия	BSC750N10NDG Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 13 А, 100 В, PG-TDSON-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
$

"%&$!"#C " 9@ /; ; % +8<3 9; <=
6KGYZWKX R F2 = 492 ? ? 6=? @C 2 =6G ( > = 6= R I46= E E 492 C I' 9I"[# AC = 82 6 6? 86 @5F4E ) ' R& @H @? C :D 2 ? 46 ' 9I"[# 6D E R * 3 766 = 5 A=E 8 , @" - 4@> A= ? E C 62 2 :? :2 R + F2 =:65 2 44@C 8 E $ :7 5:? @
)#

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 62 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: PG-TSDSON
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 13 А
• Power Dissipation Pd: 26 Вт
• Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть