HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet BSO150N03MD G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 9.3 А, 30 В, PG-DSO-8 — Даташит

Infineon BSO150N03MD G

Наименование модели: BSO150N03MD G

7 предложений от 7 поставщиков
INFINEON BSO150N03MD G MOSFET, N CH, 9.3A, 30V, PG-DSO-8
ЧипСити
Россия
BSO150N03MDG
Infineon
29 ₽
AiPCBA
Весь мир
BSO150N03MDG
Infineon
30 ₽
Acme Chip
Весь мир
BSO150N03MDG
Infineon
по запросу
BSO150N03MDG
Infineon
по запросу

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 9.3 А, 30 В, PG-DSO-8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
% " !
"%&$!"#
7LHZ[XLY S G3 > 5: 3 @ @ 7> )
`
% 0<0= # : A 0< " % & 4

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 12.5 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 16 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: DSO
  • Количество выводов: 8
  • Current Id Max: 9.3 А
  • Power Dissipation Pd: 2 Вт
  • Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet BSO150N03MD G - Infineon MOSFET, N CH, 9.3 A, 30 V, PG-DSO-8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России