Datasheet BSP129 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, SOT-223 — Даташит

Купить BSP129 на РадиоЛоцман.Цены — от 6.83 до 400 ₽ 45 предложений от 23 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 240V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4
Элрус Россия	BSP129-VB	16 ₽	Купить
727GS Весь мир	BSP129L6327 Rochester Electronics	21 ₽	Купить
ТаймЧипс Россия	BSP129E6327 Infineon	по запросу	Купить
ЭлектроПласт Россия	BSP129-E6327 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSP129
SIPMOS® Small-Signal-Transistor
Features · N-channel · Depletion mode · dv /dt rated · Available with V GS(th) indicator on reel · Pb-free lead plating; RoHS compliant
Product Summary V DS R DS(on),max I DSS,min 240 6 0.05 V A
PG-SOT-223

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 120 мА
• Drain Source Voltage Vds: 240 В
• On Resistance Rds(on): 20 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: -1.4 В
• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 4
• Current Id Max: 120 мА
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 7.3 мм
• Внешняя длина / высота: 1.7 мм
• Внешняя ширина: 6.7 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-223
• Power Dissipation Pd: 1.7 Вт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 1.7 Вт
• Pulse Current Idm: 480 мА
• SMD Marking: BSP129
• Ширина ленты: 12 мм
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: -1.4 В
• Voltage Vds Typ: 240 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 700 мВ

RoHS: есть