Datasheet BSP149 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, SOT-223 — Даташит
Наименование модели: BSP149
Купить BSP149 на РадиоЛоцман.Цены — от 18 до 476 ₽ 50 предложений от 28 поставщиков Транзистор полевой N-канальный 200В 0.66А 1.8Вт | |||
BSP149 | 18 ₽ | ||
BSP149 Infineon | 19 ₽ | ||
BSP149 | от 22 ₽ | ||
BSP149 L6327 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N, SOT-223
Краткое содержание документа:
BSP149
SIPMOS® Small-Signal-Transistor
Features · N-channel · Depletion mode · dv /dt rated · Available with V GS(th) indicator on reel · Pb-free lead plating; RoHS compliant
Product Summary V DS R DS(on),max I DSS,min 200 3.5 0.14 V A
PG-SOT-223
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 480 мА
- Drain Source Voltage Vds: 200 В
- On Resistance Rds(on): 3.5 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: -1.4 В
- Корпус транзистора: SOT-223
- Количество выводов: 4
- Current Id Max: 480 мА
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 7.3 мм
- Внешняя длина / высота: 1.7 мм
- Внешняя ширина: 6.7 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: SOT-223
- Power Dissipation Pd: 1.8 Вт
- Рассеиваемая мощность максимальная: 1.8 Вт
- Pulse Current Idm: 1.44 А
- SMD Marking: BSP149
- Ширина ленты: 12 мм
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1.4 В
- Voltage Vds Typ: 200 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 700 мВ
RoHS: есть