Datasheet BSP149L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, REEL 1K — Даташит

Купить BSP149L6327 на РадиоЛоцман.Цены — от 30 до 168 ₽ 12 предложений от 12 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 0.66A I(D), 200V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4
AiPCBA Весь мир	BSP149L6327 Infineon	46 ₽	Купить
Контест Россия	BSP149L6327	168 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	BSP149L6327 Infineon	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	BSP149L6327 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, REEL 1K

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSP149
SIPMOS® Small-Signal-Transistor
Features · N-channel · Depletion mode · dv /dt rated · Available with V GS(th) indicator on reel · Pb-free lead plating; RoHS compliant
Product Summary V DS R DS(on),max I DSS,min 200 3.5 0.14 V A
PG-SOT-223

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 480 мА
• Drain Source Voltage Vds: 200 В
• On Resistance Rds(on): 1.8 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 660 мА
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 7.3 мм
• Внешняя длина / высота: 1.7 мм
• Внешняя ширина: 6.7 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-223
• Power Dissipation Pd: 1.8 Вт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 1.8 Вт
• Pulse Current Idm: 1.44 А
• Количество приборов в упаковке (ленте): 1000
• SMD Marking: BSP149
• Ширина ленты: 12 мм
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: -1.4 В
• Voltage Vds Typ: 200 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 700 мВ

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Electrolube - SMA10SL
• Roth Elektronik - RE901
• STANNOL - 574601