Datasheet BSP171PL6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, P, REEL 1K — Даташит
Наименование модели: BSP171PL6327
Купить BSP171PL6327 на РадиоЛоцман.Цены — от 25 до 100 ₽ 17 предложений от 11 поставщиков Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | |||
| BSP171PL6327HTSA1 Infineon | 25 ₽ | ||
| BSP171PL6327HTSA1 Infineon | 27 ₽ | ||
| BSP171P-L6327 Infineon | по запросу | ||
| BSP171PL6327 Infineon | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, P, REEL 1K
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
BSP171P
SIPMOS® Small-Signal-Transistor
Features · P-Channel · Enhancement mode · Logic level · Avalanche rated · dv /dt rated · Pb-free lead plating; RoHS compliant
Product Summary V DS R DS(on),max ID -60 0.3 -1.9 V A
PG-SOT-223
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 1.45 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 450 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
- Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-223
- Количество выводов: 3
- Avalanche Single Pulse Energy Eas: 70mJ
- Current Id Max: -1.9 А
- Current Idss Max: 1 мкА
- Current Idss Typ: 0.00001 мкА
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 7.3 мм
- Внешняя длина / высота: 1.7 мм
- Внешняя ширина: 6.7 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: SOT-223
- Рассеиваемая мощность максимальная: 1.8 Вт
- Pulse Current Idm: 5.8 А
- Rate of Voltage Change dv / dt: 6kV/µs
- Количество приборов в упаковке (ленте): 1000
- SMD Marking: BSP171P
- Ширина ленты: 12 мм
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: -60 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В
- Voltage Vgs th Max: -2 В
- Voltage Vgs th Min: -1 В
RoHS: есть
