Datasheet BSP295L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, LOGIC, REEL 1K — Даташит

Купить BSP295L6327 на РадиоЛоцман.Цены — от 8.80 до 82 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков Труба MOS, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223; SIPMOSTM
AllElco Electronics Весь мир	BSP295L6327 Infineon	8.80 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	BSP295L6327 Infineon	18 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	BSP295L6327 Infineon	23 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	BSP295L6327 Infineon	27 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, LOGIC, REEL 1K

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Rev 1.2
BSP295
SIPMOS Small-Signal-Transistor
Feature
Product Summary VDS RDS(on) ID 60 0.3 1.8

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 1.7 А
• Drain Source Voltage Vds: 50 В
• On Resistance Rds(on): 300 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.1 В
• Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Current Id Max: 1.8 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 7.3 мм
• Внешняя длина / высота: 1.7 мм
• Внешняя ширина: 6.7 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-223
• Рассеиваемая мощность максимальная: 1.8 Вт
• Pulse Current Idm: 6.8 А
• Количество приборов в упаковке (ленте): 1000
• SMD Marking: BSP 295
• Ширина ленты: 12 мм
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 60 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2 В

RoHS: есть