Datasheet BSP299L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, LOGIC, REEL 1K — Даташит

Купить BSP299L6327 на РадиоЛоцман.Цены — от 34 до 4 234 ₽ 14 предложений от 11 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4
ЧипСити Россия	BSP299L6327 Infineon	34 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	BSP299L6327 Infineon	36 ₽	Купить
Utmel Весь мир	BSP299L6327HUSA1 Infineon	от 62 ₽	Купить
Acme Chip Весь мир	BSP299L6327 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, LOGIC, REEL 1K

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSP 299
SIPMOS ® Small-Signal Transistor · N channel · Enhancement mode · Avalanche rated · VGS(th)= 2.1 ...

4.0 V Pin 1 G Pin 2 D Pin 3 S Pin 4 D
Type BSP 299 Type BSP 299
VDS
500 V

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 400 мА
• Drain Source Voltage Vds: 500 В
• On Resistance Rds(on): 4 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Current Id Max: 400 мА
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 7.3 мм
• Внешняя длина / высота: 1.7 мм
• Внешняя ширина: 6.7 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-223
• Рассеиваемая мощность максимальная: 1.8 Вт
• Pulse Current Idm: 1.6 А
• Количество приборов в упаковке (ленте): 1000
• SMD Marking: BSP 299
• Ширина ленты: 12 мм
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 500 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4 В

RoHS: есть