Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet BSP300 L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, SOT-223 — Даташит

Infineon BSP300 L6327

Наименование модели: BSP300 L6327

10 предложений от 10 поставщиков
Power Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 800V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4
T-electron
Россия и страны СНГ
BSP300L6327HUSA1
Infineon
45 ₽
ChipWorker
Весь мир
BSP300L6327HUSA1
Infineon
47 ₽
Acme Chip
Весь мир
BSP300L6327
Infineon
по запросу
ТаймЧипс
Россия
BSP300L6327XT
Infineon
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-223

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSP 300
SIPMOS ® Small-Signal Transistor
· N channel · Enhancement mode · Avalanche rated · VGS(th)= 2.0...

4.0 V
· Pb-free lead plating; RoHS compliant available
Pin 1 G Pin 2 D Pin 3 S Pin 4 D

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 190 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 800 В
  • On Resistance Rds(on): 20 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-223
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 190 мА
  • Тип корпуса: SOT-223
  • Power Dissipation Pd: 1.8 Вт
  • Pulse Current Idm: 800 мА
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Voltage Vds: 800 В
  • Voltage Vds Typ: 800 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • LICEFA - V11-7-6-10
  • LICEFA - V11-7
  • Roth Elektronik - RE901

На английском языке: Datasheet BSP300 L6327 - Infineon MOSFET, N, SOT-223

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России