Datasheet BSP317PL6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, P, LOGIC, SOT-223 — Даташит
Наименование модели: BSP317PL6327
![]() 14 предложений от 13 поставщиков Труба MOS, MOSFET, P, LOGIC, SOT-223; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: P; Voltage, Vds Typ: -60V; Current, Id Cont:... | |||
BSP317PL6327 Infineon | 9.78 ₽ | ||
BSP317PL6327HTSA1 Infineon | 26 ₽ | ||
BSP317P-L6327 Infineon | 174 ₽ | ||
BSP317PL6327HTSA1 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, P, LOGIC, SOT-223
Краткое содержание документа:
BSP 317 P SIPMOS Small-Signal-Transistor
Feature · P-Channel · Enhancement mode · Logic Level · dv/dt rated
Drain pin 2/4 Gate pin1 Source pin 3
2 1
VPS05163
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 370 мА
- Drain Source Voltage Vds: 200 В
- On Resistance Rds(on): 6 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Voltage Vgs Max: -20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-223
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: -430 мА
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 7.3 мм
- Внешняя длина / высота: 1.7 мм
- Внешняя ширина: 6.7 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: SOT-223
- Power Dissipation Pd: 1.8 Вт
- Рассеиваемая мощность максимальная: 1.8 Вт
- Pulse Current Idm: 1.4 А
- SMD Marking: BSP 317
- Ширина ленты: 12 мм
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1.5 В
- Voltage Vds Typ: -60 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В
- Voltage Vgs th Max: -2 В
RoHS: есть