Datasheet BSP318S - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, LOGIC, SOT-223 — Даташит

Купить BSP318S на РадиоЛоцман.Цены — от 4.11 до 138 ₽ 44 предложений от 25 поставщиков , Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4
Элитан Россия	BSP318S	11 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	BSP318S H6327 Infineon	18 ₽	Купить
Зенер Россия и страны ТС	BSP318S H6327	от 34 ₽	Купить
ЭлектроПласт Россия	BSP318S-GEG NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, LOGIC, SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Final data
BSP318S
SIPMOS ® Small-Signal-Transistor
Features · N-Channel
·

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 2.6 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 90 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 2.6 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 7.3 мм
• Внешняя длина / высота: 1.7 мм
• Внешняя ширина: 6.7 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-223
• Power Dissipation Pd: 1.8 Вт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 1.8 Вт
• Pulse Current Idm: 10.4 А
• Ширина ленты: 12 мм
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.6 В
• Voltage Vds Typ: 60 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7
• Roth Elektronik - RE901