Datasheet BSP324 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, SOT-223 — Даташит
Наименование модели: BSP324
![]() 48 предложений от 24 поставщиков Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 0.17A автомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке | |||
BSP324 E6327 Infineon | от 5.91 ₽ | ||
BSP324 Infineon | 23 ₽ | ||
BSP324H6327 Infineon | от 61 ₽ | ||
BSP324 L6327 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N, SOT-223
Краткое содержание документа:
Rev.
1.1
BSP324
SIPMOS ® Power-Transistor
Feature · N-Channel · Enhancement mode · Logic Level · dv/dt rated
Product Summary VDS RDS(on) ID 400 25 0.17
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 170 мА
- Drain Source Voltage Vds: 400 В
- On Resistance Rds(on): 25 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-223
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 170 мА
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 7.3 мм
- Внешняя длина / высота: 1.7 мм
- Внешняя ширина: 6.7 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: SOT-223
- Power Dissipation Pd: 1.7 Вт
- Рассеиваемая мощность максимальная: 1.7 Вт
- Pulse Current Idm: 680 мА
- SMD Marking: BSP324
- Ширина ленты: 12 мм
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.9 В
- Voltage Vds Typ: 400 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 2.5 В
RoHS: есть