Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Datasheet BSP324 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, SOT-223 — Даташит

Infineon BSP324

Наименование модели: BSP324

37 предложений от 21 поставщиков
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 0.17A автомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке
Lixinc Electronics
Весь мир
BSP324 H6327
Infineon
от 31 ₽
ЧипСити
Россия
BSP324 H6327
Infineon
33 ₽
BSP324H6327
Infineon
от 47 ₽
Элитан
Россия
BSP324L6327
Infineon
61 ₽
Новое семейство LED-драйверов XLC компании MEAN WELL с дополнительными возможностями диммирования

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-223

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Rev.

1.1
BSP324
SIPMOS ® Power-Transistor
Feature · N-Channel · Enhancement mode · Logic Level · dv/dt rated
Product Summary VDS RDS(on) ID 400 25 0.17

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 170 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 400 В
  • On Resistance Rds(on): 25 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-223
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 170 мА
  • Current Temperature: 25°C
  • External Depth: 7.3 мм
  • Внешняя длина / высота: 1.7 мм
  • Внешняя ширина: 6.7 мм
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • Температура перехода максимальная: 150°C
  • Температура перехода минимальная: -55°C
  • Количество транзисторов: 1
  • Тип корпуса: SOT-223
  • Power Dissipation Pd: 1.7 Вт
  • Рассеиваемая мощность максимальная: 1.7 Вт
  • Pulse Current Idm: 680 мА
  • SMD Marking: BSP324
  • Ширина ленты: 12 мм
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.9 В
  • Voltage Vds Typ: 400 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Voltage Vgs th Max: 2.5 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet BSP324 - Infineon MOSFET, N, SOT-223

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка