Datasheet BSP372L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, SOT-223 — Даташит

Купить BSP372L6327 на РадиоЛоцман.Цены — от 17 до 1 955 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 100V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4
AiPCBA Весь мир	BSP372L6327HTSA1 Infineon	17 ₽	Купить
ЧипСити Россия	BSP372L6327 Infineon	53 ₽	Купить
HXD Co. Весь мир	BSP372L6327HTSA1 Infineon	по запросу	Купить
Allelco Весь мир	BSP372L6327 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSP 372
SIPMOS ® Small-Signal Transistor
· N channel · Enhancement mode · Logic Level · Avalanche rated · VGS(th) = 0.8 ...2.0 V
· Pb-free lead plating; RoHS compliant
Pin 1 G

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 1.7 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 310 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
• Voltage Vgs Max: 14 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 1.7 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 7.3 мм
• Внешняя длина / высота: 1.7 мм
• Внешняя ширина: 6.7 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-223
• Power Dissipation Pd: 1.8 Вт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 1.8 Вт
• Pulse Current Idm: 6.8 А
• SMD Marking: BSP 372
• Ширина ленты: 12 мм
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.9 В
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7-6-10
• LICEFA - V11-7
• Roth Elektronik - RE901