Datasheet BSS139 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23 — Даташит

Купить BSS139 на РадиоЛоцман.Цены — от 3.49 до 60 ₽ 58 предложений от 31 поставщиков , Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 250V, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
Зенер Россия и страны ТС	BSS139IXTSA1	от 5.10 ₽	Купить
727GS Весь мир	BSS139 H6327 Infineon	от 6.45 ₽	Купить
Триема Россия	BSS139	18 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	BSS139H6327 Yageo	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSS139
SIPMOS® Small-Signal-Transistor
Features · N-channel · Depletion mode · dv /dt rated · Available with V GS(th) indicator on reel · Pb-free lead-plating; RoHS compliant
Product Summary V DS R DS(on),max I DSS,min 250 30 0.03 V A
PG-SOT-23

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 40 мА
• Drain Source Voltage Vds: 250 В
• On Resistance Rds(on): 100 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: -1.4 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 40 мА
• Current Temperature: 25°C
• Маркировка: BSS139
• External Depth: 2.5 мм
• Внешняя длина / высота: 1.12 мм
• Внешняя ширина: 3.05 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-23
• Power Dissipation Pd: 360 мВт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 360 мВт
• Pulse Current Idm: 120 мА
• SMD Marking: STs
• Ширина ленты: 8 мм
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: -1.4 В
• Voltage Vds Typ: 250 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 700 мВ

RoHS: есть