Datasheet BSZ035N03MS G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 А, 30 В, PG-TSDSON-8 — Даташит
Наименование модели: BSZ035N03MS G
![]() 16 предложений от 11 поставщиков Полевые транзисторы - Одиночные | |||
BSZ035N03MSG Infineon | от 41 ₽ | ||
BSZ035N03MSG Infineon | 79 ₽ | ||
BSZ035N03MSG Infineon | по запросу | ||
BSZ035N03MSG Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 А, 30 В, PG-TSDSON-8
Краткое содержание документа:
$ )
$
"%&$!"#D $ 0<0= " : A 0< ! $ % 4
6LHZ[XLY U * D= = :CF 0 8F 5D @= = ) CH CC? 0 " + * ' H N98 A = J9F D 75H CB 96 U ' CK ! ( JM :CF# = ! 9EI9B7M.
( + . * ;< F U
5J5@5B7<9 H 98 9GH U ) 7<5BB9@ U 0 9F @CK CBF GH M 9G= 5B79 ' ;J"_^# ) >J
" < /?.>$ ?8 8 ,< : C ) ;J ' ;J"_^#$]Qh ) >J
0 ) >J
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 2.9 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: PG-TSDSON
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 40 А
- Power Dissipation Pd: 69 Вт
- Тип транзистора: Power MOSFET
RoHS: есть