Datasheet BSZ042N04NS G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 А, 40 В, PG-TSDSON-8 — Даташит

Купить BSZ042N04NS G на РадиоЛоцман.Цены — от 2.27 до 874 ₽ 15 предложений от 9 поставщиков Полевые транзисторы - Одиночные
Lixinc Electronics Весь мир	BSZ042N04NSG Rochester Electronics	34 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	BSZ042N04NSG Infineon	172 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	BSZ042N04NSG Infineon	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	BSZ042N04NSG Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 А, 40 В, PG-TSDSON-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSZ042N04NS G
!"#$%!&TM3 Power-Transistor
Features · Fast switching MOSFET for SMPS · Optimized technology for DC/DC converters · Qualified according to JEDEC1) for target applications · N-channel; Normal level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · Superior thermal resistance · Avalanche rated · Pb-free plating; RoHS compliant · Halogen-free according to IEC61249-2-21 Type BSZ042N04NS G Package PG-TSDSON-8 Marking 042N04N
Product Summary V DS R DS(on),max ID 40 4.2 40 PG-TSDSON-8 V mW A
Maximum ratings, at T j=25 ° unless otherwise specified C, Parameter Continuous drain current Symbol Conditions ID V GS=10 V, T C=25 ° C V GS=10 V, T C=100 ° C Pulsed drain current3) Avalanche current, single pulse4) Avalanche energy, single pulse Gate source voltage

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 40 В
• On Resistance Rds(on): 3.5 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: PG-TSDSON
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 40 А
• Power Dissipation Pd: 69 Вт
• Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть