Datasheet BSZ050N03LS G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 А, 30 В, PG-TSDSON-8 — Даташит

Купить BSZ050N03LS G на РадиоЛоцман.Цены — от 6.01 до 53 ₽ 14 предложений от 11 поставщиков Полевые транзисторы - Одиночные
AiPCBA Весь мир	BSZ050N03LSG Infineon	6.01 ₽	Купить
ЧипСити Россия	BSZ050N03LSG Infineon	24 ₽	Купить
ЭлектроПласт Россия	BSZ050N03LSG_09 Infineon	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	BSZ050N03LSG Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 А, 30 В, PG-TSDSON-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSZ050N03LS G
!"#$%!&TM3 Power-MOSFET
Features · Fast switching MOSFET for SMPS · Optimized technology for DC/DC converters · Qualified according to JEDEC1) for target applications · N-channel; Logic level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · Superior thermal resistance · Avalanche rated · Pb-free plating; RoHS compliant · Halogen-free according to IEC61249-2-21 Type BSZ050N03LS G Package PG-TSDSON-8 Marking 050N03L
Product Summary V DS R DS(on),max ID 30 5 40 PG-TSDSON-8 V mW A
Maximum ratings, at T j=25 ° unless otherwise specified C, Parameter Continuous drain current Symbol Conditions ID V GS=10 V, T C=25 ° C V GS=10 V, T C=100 ° C V GS=4.5 V, T C=25 ° C V GS=4.5 V, T C=100 ° C V GS=10 V, T A=25 ° C, R thJA=60 K/W 2) Pulsed drain current3) Avalanche current, single pulse4) Avalanche energy, single pulse I D,pulse I AS E AS T C=25 ° C T C=25 ° C I D=20 A, R GS=25 W I D=40 A, V DS=24 V, di /dt =200 A/µs, T j,max=150 ° C Value 40 40 4

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 4.2 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: PG-TSDSON
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 40 А
• Power Dissipation Pd: 50 Вт
• Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть