Datasheet BSZ088N03LS G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 А, 30 В, PG-TSDSON-8 — Даташит
Наименование модели: BSZ088N03LS G
Купить BSZ088N03LS G на РадиоЛоцман.Цены — от 21 до 2 835 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков OptiMOS?„?3 Power-MOSFET | |||
BSZ088N03LSG Infineon | 21 ₽ | ||
BSZ088N03LSG Infineon | 21 ₽ | ||
BSZ088N03LSG | 2 835 ₽ | ||
BSZ088N03LSG Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 А, 30 В, PG-TSDSON-8
Краткое содержание документа:
% * ! %
"%&$!"#E # ;B 1= " % &
6MI[YMZ Q 2 C C 49:? 8 ' ) - .
7 - ' * D G:D @B Q ) AD :J65 D :> 649? @= 7 4@? F6B 6B @8I @B D C Q + E =:65 2 44@B 8 D $ 2 :7 5:? @ Q( 492 ? ? 6=& @8:4 = 6F6= Q H = D82 D 492 B H' 9I"[# AB 4D ) ' 46= 6? 6 86 @5E Q/ 6B = @? B :C2 ? 46 ' 9I"[# I @G 6C D Q - E :@B D > 2 = 6C D ? 46 A6B 96B B :C2 Q F2 =? 496 B D 2 2 65 Q * 3 766 A=D 8 , @" - 4@> A= ? D B 2 :? :2 Q" 2 = @86? 766 2 44@B 8 D #
B 5:? @ B`XM - 1 ( & - ! ?IKSIOM F=%JI9IED%0
#= ;0@/?% @9 9 -= D ) 9I ' 9I"[#$ZNd $9 +( 0&0 ,( F=%JI9IED%0 K Z" 6
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 7.3 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: PG-TSDSON
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 40 А
- Power Dissipation Pd: 35 Вт
- Тип транзистора: Power MOSFET
RoHS: есть