Datasheet BSZ088N03MS G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 А, 30 В, PG-TSDSON-8 — Даташит
Наименование модели: BSZ088N03MS G
Купить BSZ088N03MS G на РадиоЛоцман.Цены — от 28 до 2 331 ₽ 7 предложений от 7 поставщиков MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | |||
BSZ088N03MSG Infineon | 28 ₽ | ||
BSZ088N03MSG Infineon | 28 ₽ | ||
BSZ088N03MSG ON Semiconductor | по запросу | ||
BSZ088N03MSG Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 А, 30 В, PG-TSDSON-8
Краткое содержание документа:
$ )
$
"%&$!"#D $ 0<0= " : A 0< ! $ % 4
6LHZ[XLY S * BF ; 8 0 6;7D BB> F ) AF ; L76 AD ? D 3 H ; ; 53 A@ 74AA= 0 " + * ' S ' AI ! ( JM 8 # ; ! 7CG7@ 5K .
( + . * AD 9: D S
3 H >@ 5: 7 F F 3 3 7E 76 S ) 5: 3 @ @ 7> S 0 7D > A@ D ;F @ 57 ' ;J"]# K AI 7EE 3 ) >J
" < /?.>$ ?8 8 ,< : C ) ;J ' ;J"]#$[Of ) >J
0 ) >J
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 6.7 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: PG-TSDSON
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 40 А
- Power Dissipation Pd: 35 Вт
- Тип транзистора: Power MOSFET
RoHS: есть