Datasheet BSZ100N03LS G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 А, 30 В, PG-TSDSON-8 — Даташит

Infineon BSZ100N03LS G

Наименование модели: BSZ100N03LS G

Купить BSZ100N03LS G на РадиоЛоцман.Цены — от 30 до 20 557 ₽ 6 предложений от 6 поставщиков TSDSON8
AiPCBA Весь мир	BSZ100N03LSG Infineon	30 ₽
ChipWorker Весь мир	BSZ100N03LSG Infineon	30 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	BSZ100N03LSG	20 557 ₽
Acme Chip Весь мир	BSZ100N03LSG Infineon	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 А, 30 В, PG-TSDSON-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
% * ! %
"%&$!"#E # ;B 1= " % &
6MI[YMZ Q 2 C C 49:? 8 ' ) - .

7 - ' * D G:D @B Q ) AD :J65 D :> 649? @= 7 4@? F6B 6B @8I @B D C Q + E =:65 2 44@B 8 D $ 2 :7 5:? @ Q( 492 ? ? 6=& @8:4 = 6F6= Q H = D82 D 492 B H' 9I"[# AB 4D ) ' 46= 6? 6 86 @5E
)#
#= ;0@/?% @9 9 -= D ) 9I ' 9I"[#$ZNd $9 +( )( ,( F=%JI9IED%0 K Z" 6

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Drain Source Voltage Vds: 30 В
On Resistance Rds(on): 8.3 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
Корпус транзистора: PG-TSDSON
Количество выводов: 8
Current Id Max: 40 А
Power Dissipation Pd: 30 Вт
Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть