Datasheet BSZ100N03MS G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 А, 30 В, PG-TSDSON-8 — Даташит

Infineon BSZ100N03MS G

Наименование модели: BSZ100N03MS G

Купить BSZ100N03MS G на РадиоЛоцман.Цены — от 57 до 20 444 ₽ 7 предложений от 7 поставщиков Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8Pin TSDSON EP
ЧипСити Россия	BSZ100N03MSG Infineon	57 ₽
AiPCBA Весь мир	BSZ100N03MSG Infineon	61 ₽
ChipWorker Весь мир	BSZ100N03MSG Infineon	61 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	BSZ100N03MSG	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 А, 30 В, PG-TSDSON-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
$ )
$
"%&$!"#D $ 0<0= " : A 0< ! $ % 4
6LHZ[XLY S * BF ; 8 0 6;7D BB> F ) AF ; L76 AD ? D 3 H ; ; 53 A@ 74AA= 0 " + * ' S ' AI ! ( JM 8 # ; ! 7CG7@ 5K .

( + . * AD 9: D S 3 H >@ 5: 7 F F 3 3 7E 76 S ) 5: 3 @ @ 7> S 0 7D > A@ D ;F @ 57 ' ;J"]# K AI 7EE 3 ) >J
" < /?.>$ ?8 8 ,< : C ) ;J ' ;J"]#$[Of ) >J 0 ) >J

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Drain Source Voltage Vds: 30 В
On Resistance Rds(on): 7.3 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
Корпус транзистора: PG-TSDSON
Количество выводов: 8
Current Id Max: 40 А
Power Dissipation Pd: 30 Вт
Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть