Datasheet BSZ123N08NS3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 А, 80 В, PG-TSDSON-8 — Даташит
Наименование модели: BSZ123N08NS3 G
![]() 11 предложений от 8 поставщиков Полевые транзисторы - Одиночные | |||
BSZ123N08NS3G Infineon | 84 ₽ | ||
BSZ123N08NS3G Infineon | 108 ₽ | ||
BSZ123N08NS3G Infineon | по запросу | ||
BSZ123N08NS3G Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 А, 80 В, PG-TSDSON-8
Краткое содержание документа:
IdQ
$ )
$
"&'%!"#
>HJRHNL
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 80 В
- On Resistance Rds(on): 10.3 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: PG-TSDSON
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 40 А
- Power Dissipation Pd: 66 Вт
- Тип транзистора: Power MOSFET
RoHS: есть