Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet BSZ340N08NS3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 80 В, 23 А, 8TSDSON — Даташит

Infineon BSZ340N08NS3 G

Наименование модели: BSZ340N08NS3 G

9 предложений от 9 поставщиков
OptiMOS3 Power-Transistor
AiPCBA
Весь мир
BSZ340N08NS3G
Infineon
28 ₽
ChipWorker
Весь мир
BSZ340N08NS3G
Infineon
29 ₽
Элитан
Россия
BSZ340N08NS3G
Infineon
54 ₽
Vess Electronics
Весь мир
BSZ340N08NS3G
Infineon
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 80 В, 23 А, 8TSDSON

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
$ )
$
"&'%!"#
6LHZ[XLY
$!

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 23 А
  • Drain Source Voltage Vds: 80 В
  • On Resistance Rds(on): 0.027 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2.8 В
  • Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
  • Количество выводов: 8
  • Корпус транзистора: PG-TSDSON
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 32 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet BSZ340N08NS3 G - Infineon MOSFET, N-CH, 80 V, 23 A, 8TSDSON

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России