Datasheet IPA50R199CP - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-220 — Даташит
Наименование модели: IPA50R199CP
![]() 12 предложений от 10 поставщиков Труба MOS, TO-220FP N-CH 500V 17A | |||
IPA50R199CP Infineon | 121 ₽ | ||
IPA50R199CP Infineon | 252 ₽ | ||
IPA50R199CP 5R199P Infineon | по запросу | ||
IPA50R199CP Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N, TO-220
Краткое содержание документа:
IPA50R199CP
CoolMOSTM Power Transistor
Features · Lowest figure of merit RON x Qg · Ultra low gate charge · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Quailfied according to JEDEC for target applications
0)
Product Summary V DS @Tjmax R DS(on),max Q g,typ 550 0.199 34 V nC
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 17 А
- Drain Source Voltage Vds: 550 В
- On Resistance Rds(on): 199 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-220
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 17 А
- Тип корпуса: TO-220
- Power Dissipation Pd: 139 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 550 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A