Datasheet IPA60R600CP - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-220 — Даташит

Купить IPA60R600CP на РадиоЛоцман.Цены — от 57 до 231 ₽ 11 предложений от 11 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220FP, 3 PIN
Кремний Россия и страны СНГ	IPA60R600CP	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IPA60R600CP Infineon	по запросу	Купить
727GS Весь мир	IPA60R600CP Infineon	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IPA60R600CP Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPA60R600CP
CoolMOSTM Power Transistor
Features · Lowest figure-of-merit R ON x Qg · Ultra low gate charge · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Qualified according to JEDEC1) for target applications · Pb-free lead plating; RoHS compliant
Product Summary V DS @ Tj,max R DS(on),max @ Tj =25°C Q g,typ 650 0.6 21 V nC
PG-TO220 FP

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 6.1 А
• Drain Source Voltage Vds: 650 В
• On Resistance Rds(on): 600 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-220
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 6.1 А
• Тип корпуса: TO-220
• Power Dissipation Pd: 28 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 650 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A