Datasheet IPA90R1K2C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-220 — Даташит

Купить IPA90R1K2C3 на РадиоЛоцман.Цены — от 23 до 192 ₽ 40 предложений от 19 поставщиков Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
AllElco Electronics Весь мир	IPA90R1K2C3XKSA2 Infineon	от 23 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	IPA90R1K2C3XKSA1 Infineon	от 151 ₽	Купить
Элитан Россия	IPA90R1K2C3XKSA2 Infineon	192 ₽	Купить
ЗУМ-СМД Россия	IPA90R1K2C3 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPA90R1K2C3
CoolMOSTM Power Transistor
Features · Lowest figure-of-merit R ON x Qg · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Qualified according to JEDEC1) for target applications · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Ultra low gate charge
Product Summary V DS @ T J=25°C R DS(on),max @T J=25°C Q g,typ 900 1.2 28 V nC
PG-TO220 FP

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 5.1 А
• Drain Source Voltage Vds: 900 В
• On Resistance Rds(on): 1.2 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-220
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 5.1 А
• Тип корпуса: TO-220
• Power Dissipation Pd: 31 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 900 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A