Datasheet IPA90R500C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-220 — Даташит
Наименование модели: IPA90R500C3
![]() 28 предложений от 15 поставщиков MOSFET N-CH 900V 11A TO220-3 | |||
IPA90R500C3XKSA1 Infineon | 198 ₽ | ||
IPA90R500C3XKSA1 Infineon | 219 ₽ | ||
IPA90R500C3XKSA2 Infineon | от 306 ₽ | ||
IPA90R500C3 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N, TO-220
Краткое содержание документа:
IPA90R500C3
CoolMOSTM Power Transistor
Features · Lowest figure-of-merit R ON x Qg · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Qualified according to JEDEC1) for target applications · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Ultra low gate charge
Product Summary V DS @ T J=25°C R DS(on),max @ T J= 25°C Q g,typ 900 0.5 68 V nC
PG-TO220 FP
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 11 А
- Drain Source Voltage Vds: 900 В
- On Resistance Rds(on): 500 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-220
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 11 А
- Тип корпуса: TO-220
- Power Dissipation Pd: 34 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 900 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A